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NTB125N02R中文资料

NTB125N02R图片

NTB125N02R外观图

  • 大小:68.84KB
  • 厂家:ONSEMI [ON Semiconductor]
  • 描述:Power MOSFET 125 A, 24 V N-Channel TO-220, D2PAK
  • 标准包装:50
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):24V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:15.9A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:4.6 毫欧 @ 20A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:28nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:3440pF @ 20V
  • 功率 - 最大:1.98W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装:D2PAK
  • 包装:管件

NTB125N02R供应商

更新时间:2023-01-07 11:45:02
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